Magnetoresistance effect 磁电阻效应，mT 毫特斯拉，用高斯的CGS单位换算为1mT=10高斯，Non-contact 非接触式，非接触
“GMR可以被认为是纳米技术领域很早的实际应用之一。” 尽管巨磁电阻（GMR）中的“巨”一词似乎与纳米技术设备不协调，但它指的是当器件受到磁场作用时电阻的巨大
