VCS758-全国产电流传感器-大量程±50~±400A-B级-兼容ACS758/756/770

韦克威VCS758系列电流传感器IC为交流或直流电流传感提供经济而精确的解决方案。从芯片设计到模组装配工艺开发的全自主可控的开环霍尔式电流传感器模组。该器件由一个精密、低偏移的线性霍尔电路组成,该电路具有位于管芯附近的铜导电路径。流过该铜传导路径的施加电流产生磁场,霍尔IC将该磁场转换成比例电压。通过磁信号与霍尔换能器的紧密接近来优化设备精度。低偏移、斩波稳定的BiCMOS霍尔IC提供精确的比例输

韦克威VCS758系列电流传感器IC为交流或直流电流传感提供经济而精确的解决方案。从芯片设计到模组装配工艺开发的全自主可控的开环霍尔式电流传感器模组。

该器件由一个精密、低偏移的线性霍尔电路组成,该电路具有位于管芯附近的铜导电路径。流过该铜传导路径的施加电流产生磁场,霍尔IC将该磁场转换成比例电压。通过磁信号与霍尔换能器的紧密接近来优化设备精度。低偏移、斩波稳定的BiCMOS霍尔IC提供精确的比例输出电压,该IC在工厂进行了精确编程。

韦克威高可靠电子元器件

特性:

Ø 隔离测量,隔离耐压高达5kv@50HZ,1min

Ø 可以测±50~±400A交直流电流

Ø 5V/3.3V供电

Ø PFF封装

Ø 极低的电流导线阻抗:0.08mΩ

Ø 低至2.5uS的响应时间 

Ø 宽工作温区: -40~125°C/-55~125°C 供选择

Ø 高精度:常温<1%的精度误差

全温区<3%的精度误差

Ø 强驱动能力,低至3kΩ的负载

Ø 极简易用的外围电路

Ø 浪涌电流:20kA 8/20uS

Ø 抗电线磁场,外磁场,地磁场的干扰  

Ø 高电源抑制比

Ø 100%国产化

选型表:

型号

温度范围

检测电流

灵敏度           (mV/A)

零点输出(V)

额定输出(V)

特征码

基准电压(V)

VCS758I-050B5F

(-40~125℃)

±50

40

B(0.5Vcc)

2

F

NC

VCS758I-100B5F

±100

20

VCS758I-150B5F

±150

13.33

VCS758I-200B5F

±200

10

VCS758I-250B5F

±250

8

VCS758I-300B5F

±300

6.66

VCS758I-350B5F

±350

5.71

VCS758I-400B5F

±400

5

VCS758I-050U5F

50

80

U(0.1Vcc)

4

VCS758I-100U5F

100

40

VCS758I-150U5F

150

26.66

VCS758I-200U5F

200

20

VCS758I-050B3F

±50

26.4

B(0.5Vcc)

1.32

VCS758I-100B3F

±100

13.2

VCS758I-150B3F

±150

8.8

VCS758I-200B3F

±200

6.6

VCS758I-250B3F

±250

5.28

VCS758I-300B3F

±300

4.4

VCS758I-350B3F

±350

3.77

VCS758I-400B3F

±400

3.3

VCS758I-050U3F

50

52.8

U(0.1Vcc)

2.64

VCS758I-100U3F

100

26.4

VCS758I-150U3F

150

17.6

VCS758I-200U3F

200

13.2

备注:可提供-55~125℃(VCS758J)产品,更多订货型号,请于韦克威技术人员联系


STK-10HD高精度电流传感器 电气参数  

条件为 TA=25UC=5VRL=10kΩ,除非特殊说明

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

原边电流

IPN

A

-10


10


电流线匝数

NP

-


1



初级绕组阻抗@ TA=25

RP

mΩ


 0.12



初级绕组阻抗@ TA=85

RP

mΩ


 0.18



供电电压

UC

V

4.75

5

5.25


功耗

IC

mA



5


输出电压@IPN

Vout

V


2.5±1.5



Vout输出内部阻抗

Rout

Ω



50


零点失调电压

VOE

V

2.48


2.52


负载电容

CL

nF



4.7


失调电流(相对于原边)

IOE

mA

-133


133


失调电压温度系数

TCVOE

mV/K

-0.225


0.225


增益温度系数

TCG

ppm/K

-150


150


线性度误差 0- IPN

εL

% of IPN

-0.5


0.5


响应时间@10% of IPN

tra

µs



1

RL=1k 

响应时间@90% of IPN

tr

µs



1.5

RL=1k 

-3dB带宽

BW

kHz

200




输出电压噪声谱密度(100 Hz.. 100 kHz

eno

µV/韦克威高可靠电子元器件



28


输出电压噪声

DC.. 10kHz

DC.. 100kHz

Vno

mVpp


16.8

45.3



精度@ IPN

X

% of IPN



0.8


精度@ IPN @TA=85

X85

% of IPN



2.6


备注:13.3V 供电版本可以调制

     2)精度@ XTA=X+TCG(TA-25)/10000+TCIOE*100*(TA-25)/(1000*IP)


韦克威高精度电流传感器电气参数

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